Næsta kynslóð raftækja kísilkarbíð

Silicon Carbide (SiC) er í fararbroddi næstu kynslóðar rafeindatækni og gjörbyltir ýmsum rafrænum forritum.

Hringdu í okkur

Lýsing

SiC-undirstaða rafeindatæki bjóða upp á yfirburða afköst og einstaka getu sem sigrast á takmörkunum hefðbundinnar sílikon-undirstaða rafeindatækni.
Next Generation Electronics Silicon Carbide.SiC er breitt bandbil og hár sundurliðunarstyrkur rafsviðs gerir þróun öflugra, háspennu rafeindatækja með aukinni skilvirkni. SiC-undirstaða rafeindatækni getur starfað við hærra hitastig, séð um hærri spennu og sýnt hraðari skiptihraða samanborið við sílikontæki.

Forskrift

Eign	Gildi
Efnaformúla	SiC
hitastuðull (CTE)	4.0-6.0 x 10⁻⁶/ gráðu
Hámarks rekstrarhiti	1,600-2,800 gráður (2,912-5,072 gráður F)
Stuðull Young	370-700 GPa
Hlutfall Poisson	0.16-0.22
Rafstuðull	9.7-10.7
Bandgap orka	2,2-3.3 eV

Next Generation Electronics Silicon Carbide

Next Generation Electronics Silicon Carbide. Breitt bandbilið gerir einnig SiC-undirstaða tæki kleift að starfa í erfiðu umhverfi sem annars væri krefjandi fyrir sílikontæki. SiC rafeindatækni þolir háan hita, geislun og hátíðninotkun, sem gerir þær hentugar fyrir geimferða-, varnar- og hááreiðanleika.

SiC er að ryðja brautina fyrir framfarir í rafknúnum ökutækjum, endurnýjanlegum orkukerfum og netinnviðum. SiC-undirstaða tæki gera skilvirkari orkuumbreytingu, minnkuðu orkutapi og bætta orkustjórnun, sem stuðlar að þróun sjálfbærrar og orkusparandi tækni.

Algengar spurningar

Sp.: Hverjir eru kostir þínir?
A: Við erum framleiðandi og við höfum faglega framleiðslu og vinnslu og söluteymi. Hægt er að tryggja gæði. Við höfum mikla reynslu á sviði járnblendi.

Sp.: Hver er framleiðslugeta þín og afhendingardagur?
A: 3000MT / mánuður og send á 20 dögum eftir greiðslu.

Sp.: Er verðið samningsatriði?
A: Já, vinsamlegast hafðu samband við okkur hvenær sem er ef þú hefur einhverjar spurningar. Og fyrir viðskiptavini sem vilja stækka markaðinn munum við gera okkar besta til að styðja.