Silicon Carbide SiC 1-5mm

Kísilkarbíð (SiC) er tilbúið efnasamband sem samanstendur af sílikoni og kolefni. Það er mjög endingargott og hart efni með framúrskarandi hitaleiðni, hátt bræðslumark og mikla rafleiðni. SiC er framleitt með blöndu af háum hita og þrýstingi. Algengasta aðferðin til að framleiða SiC er Acheson ferlið, sem felur í sér eftirfarandi skref:

Hráefnisundirbúningur: Hráefnin til að framleiða SiC eru kísilsandur og jarðolíukoks. Þessi efni eru vandlega valin og blandað í viðeigandi hlutföllum. Öðrum efnum eins og sagi eða salti má einnig bæta við til að bæta porosity lokaafurðarinnar.

Ofnhleðsla: Hráefnin eru hlaðin í rafmagnsmótstöðuofn sem er fóðraður með kolefnismúrsteinum. Ofninn er hitaður í um 2200 gráður, sem veldur því að kolefnið í kókinu hvarfast við kísilinn og myndar SiC.

SiC Myndun: Þegar hitastig ofnsins eykst verður hvarfið milli kolefnisins og kísilsins kröftugra og SiC kristallar byrja að myndast. SiC kristallarnir vaxa eftir því sem hvarfið heldur áfram og að lokum myndast fastur SiC massi.

Mylnun og sigtun: Fasti SiC massinn er mulinn og sigtaður í æskilega stærð. Stærð SiC kornanna getur verið breytileg eftir fyrirhugaðri notkun.

Efnameðferð: SiC kornin geta farið í efnafræðilega meðferð til að fjarlægja öll óhreinindi sem geta haft áhrif á gæði þeirra. Meðferðin getur falið í sér notkun sýru, basa eða annarra efna.

Pökkun og geymsla: Loka SiC vörunni er síðan pakkað í viðeigandi ílát og geymt á þurru, vel loftræstu svæði þar til hún er tilbúin til sendingar.